1、问题六：如何区分霍尔效应与磁阻效应 磁场中的导体流过电流时，载流子会受到洛伦兹力，电流方向的载流子会垂直磁场方向发生偏转，因此电流会减小，这个效应是磁阻效应。而导体上下两端会产生一个电势差，这个效场是霍尔效应。
2、化区所改变的，这种磁场强度和方向的变化导致明显的磁头电阻变化，在一个固定的信号电压下面，就可以拾取供硬盘电路处理的信号。
3、当金属或半导体处于较弱磁场中时，一般磁阻传感器电阻相对变化率ΔR/R（0）正比于磁感应强度B的平方，而在强磁场中ΔR/R（0）与磁感应强度B呈线性关系。磁阻效应广泛用于磁传感、磁力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、GPS导航、仪器仪表、磁存储（磁卡、硬盘）等领域。
4、如果磁化方向转向垂直于电流的方向，则材料的电阻将减小；如果磁化方向转向平行于电流的方向，则材料的电阻将增大。磁阻效应传感器一般有四个这样的电阻组成，并将它们接成电桥。在被测磁场B作用下，电桥中位于相对位置的两个电阻阻值增大，另外两个电阻的阻值减小。
5、霍耳传感器它将霍耳元件固定于弹性敏感元件上，在压力的作用下霍耳元件随弹性敏感元件的变形而在磁场中产生位移，从而输出与压力成一定关系的电信号。基保持霍耳元件的激励电流不变，而使它在一个均匀梯度的磁场中移动时，它输出的霍耳电势大小就取决于它在磁场中的位移量（见半导体磁敏元件）。
1、在其线性范围内，电桥的输出电压与被测磁场成正比。磁阻传感器/地磁场测量的实验过程（如图2）将磁阻传感器放在赫姆霍兹线圈公共轴线中点，使管脚和磁感应强度方向平行。从0开始每隔10mA改变励磁电流，分别测量出励磁电流为正向和反向时磁阻传感器的输出电压和，。
2、、测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度变化的关系。2 、作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。3 、对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行曲线和直线拟合。
3、很明显，铁磁性物质放在磁阻传感器周围较近处，将干扰地磁场的大小，甚至干扰局部地磁场的方向，使测量结果发生异常。利用这一点可以探测铁矿。
1、对于铁磁单晶，其磁阻效应同样具有各向异性，即磁阻的大小取决于电流和磁化强度与晶体轴线的相对取向，这在图6中有所体现。这种特性表明磁阻不仅受磁场影响，还受材料晶体结构的制约。
2、在弱磁场下的技术磁化区，电阻率的相对变化（图2）有较大的值。电流与磁场平行时（图3）具有正号。而电流与磁场垂直时具有负号。在顺磁磁化过程存在的强磁场区（图4）和（图5）都伴随真实磁化强度增加而减少。
3、磁阻效应是指在磁场作用下，材料的电阻发生变化的现象。通常，物质的电阻率在磁场中仅仅只能产生轻微的变化。但当磁性材料置于磁场中时，其电子的自旋会在磁场作用下定向，导致电子运动轨迹的变化，从而影响电子在材料中的流动，导致电阻率发生变化。
巨磁阻效应是磁阻效应的一种，它出现在由磁性材料和非磁性材料交替构成的薄膜层中，这种薄膜层的厚度通常只有几纳米。在这种结构中，物质的电阻值取决于铁磁性材料薄膜的磁化方向；当两层磁性材料的磁化方向相反时，电阻值显著增加，且在外加磁场作用下，电阻值会经历大幅变化。
两层磁性材料磁化方向相反情况下的电阻值，明显大于磁化方向相同时的电阻值，电阻在很弱的外加磁场下具有很大的变化量。巨磁阻效应被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。
巨磁阻效应是一种量子力学和凝聚态物理学现象，磁阻效应的一种，可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层（几个纳米厚）结构中观察到。这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关，两层磁性材料磁化方向。电子除携带电荷外，还具有自旋特性，自旋磁矩有平行或反平行于外磁场两种可能取向。
nm已经是实验室中人工微结构材料可以实现的尺度，所以1970年之后，科学家就探索人工微结构中的磁性交换作用。
奥斯待的发现轰动了整个欧洲，对法国学术界的震动尤大，法国物理学家阿拉果在瑞士听到了奥斯待发现电流磁效应的消息，十分敏锐地感到这一成果的重要性，迅即于1820年9月初从瑞士赶回法国。9月11日即向法国科学院报告了奥斯特的这一最新发现，他详细地向科学院的同事们描述了电流磁效应的实验。
磁阻效应的测量方法：除了霍尔效应之外。电磁感应是最基本的测量磁感应强度的方法。不过电磁感应原理只能测量变化的磁感应强度，当磁感应强度恒定时，一般采用霍尔效应测量。此外，对于一些模型较简单的产生磁感应强度的装置，在已知磁导率的情况下，也可以通过测量电流、位置的方法计算磁感应强度。
测量磁场比较有效的方法是利用霍尔效应测，霍尔效应磁强计是用利用霍尔效应测量磁感应强度的仪器。
计算磁阻公式：Zm=L/uS。Zm表示磁阻，L表示磁路长度；u表示磁导率，S表示磁路截面积。永磁体提供磁通，经过软磁体连接后在空隙处产生磁场。磁路中的总磁通量是守恒的，但在空隙处的磁通密度相对降低，因有部分磁通在非空隙处流失，称之为漏磁，导致磁路中的磁阻。
磁力计法：使用磁力计（也称为磁场仪）来测量磁场强度。磁力计可以是基于霍尔效应、磁阻效应或磁感应强度等原理工作的仪器。霍尔效应法：利用霍尔元件测量磁场的强度和方向。霍尔元件在磁场中会产生一个电压信号，该信号与磁场的强度成正比。磁阻效应法：利用磁阻变化来测量磁场强度。
铁磁性物质放在磁阻传感器周围较近处，将干扰地磁场的大小，甚至干扰局部地磁场的方向，使测量结果发生异常。人们利用这一点可以探测铁矿。影响大小在于传感器与铁钉的距离、铁钉的大小，以及铁钉、传感器与地磁场磁力线之间的相对位置和方向关系。物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。
1、当金属或半导体处于较弱磁场中时，一般磁阻传感器电阻相对变化率ΔR/R（0）正比于磁感应强度B的平方，而在强磁场中ΔR/R（0）与磁感应强度B呈线性关系。磁阻效应广泛用于磁传感、磁力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、GPS导航、仪器仪表、磁存储（磁卡、硬盘）等领域。
2、因此也可以用磁阻传感器电阻的相对改变量△R/R（0）来表示磁阻效应的大小。实验证明，当金属或半导体处于较弱磁场中时，一般磁阻传感器电阻相对变化率ΔR/R（0）正比于磁感应强度B的平方，而在强磁场中ΔR/R（0）与磁感应强度B呈线性函数关系。磁阻传感器的上述特性在物理学和电子学方面有着重要应用。
3、磁阻效应主要分为：常磁阻，巨磁阻，超巨磁阻，异向磁阻，穿隧磁阻效应等常磁阻（OrdinaryMagnetoresistance，OMR）对所有非磁性金属而言，由于在磁场中受到洛伦兹力的影响，传导电子在行进中会偏折，使得路径变成沿曲线前进，如此将使电子行进路径长度增加，使电子碰撞机率增大，进而增加材料的电阻。